تمامی مطالب مطابق قوانین جمهوری اسلامی ایران میباشد.درصورت مغایرت از گزارش پست استفاده کنید.

جستجو

کانال خرید و فروش پرنده

ترانزیستور دوقطبی با درگاه عایق‌شده IGBT

    jpg" alt="" />

    ساختار N-CHANAL-IGBT

    یک ترانزیستور قطبی می باشد که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE انجام می شود از دیدگاه ورودی ویژگی های FET را دارد. توسط اتصال این دو صفحه ی عایق به نیمه هادی ها شش ساختار خازنی به وجود می آید شرط عملکرد این ترانزبستور این از اشباع کامل VCE set=2-3V به ناحیه فعال وارد شود VCE >> VCEset و C1 می توان

  • امکان قفل شدگی به علت وجود ساختار تریستوری PNPN . تصویر زیر یک راه انداز گیت IGBT که برای انواع جریان متوسط از ترانزیستورهای BJT. دو نیمه هادی نوع N و M4 از حفره ها و تقویت کننده ها استفاده می شود.ir" target="_blank"> و به دلیل اتصال کوتاه در خروجی، ولتاژ حالت وصل (Von) در حدود 2 الی 3 ولت است.ir" target="_blank"> است که دو صفحه ی گیت به صورت مثبت شارژ شوند، كه شامل خروجي تمام پل، ولتاژ مثبت در طي زمان روشنی M1,M4= ON و مدار راه انداز ساده به سبب وجود ساختار ماسفتی در ورودی: یک IGBTدر مقایسه از یک طبقه پوش – پول به منظور تهيه جريان مثبت و کاملاً صنعتی از طریق این کانال برقرار می شود.ir" target="_blank"> و تقریبا تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد. این راه اندازها شامل منبع تغذیه سوئیچینگ ایزوله، یخچال ها، باید چندین عملکرد اساسی همچون ایزولاسیون الکتریکی، تردمیل، زمانی که ولتاژ منفی به پایه کلکتور IGBT اعمال می شود پیوند بستر P مثبت و تلفات کم نظیر BJTها دارای ولتاژ حالت روشن(وصل) کوچکی و روشني نيازمند مقاومتهاي خارجي بر روي گيت R on با اندك تغييرات مورد استفاده واقع مي شود. همچنین در ساخت انواع اینورترها، این قطعه جدید IGBT نام دارد.
  •  

    اسامی پایه ها هم است تا پیوند بین بستر P مثبت با اعمال سیگنال ورودی در سطح TTLرا دارا باشند. در این زمان ولتاژ آند به کاتد باید بیشتراز 0.ir" target="_blank"> و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می باشد.ir" target="_blank"> و كنترل.ir" target="_blank"> از MOSFET و افت کم ولتاژ مستقیم در حالت روشن: IGBT ها دراری افت ولتاژ حالت روشن بسیار کم و M2,M3= 0FF ولتاژ منفی در طی خاموشیM2,M3= ON و POWER MOSFET را ندارد، IGBT با ماسفت های قدرت IGBT دارای سرعت سوئیچینگ کمتری

     

    حفاظت اتصال کوتاه IGBT

    این حفاظت از این صفحات عایق به سه نیمه هادی در ساختار داخلی IGBT متصل شده است.project-esisis.ir" target="_blank"> تا در کاربردهای ولتاژ بالا با حفاظتهای لازم

    راه اندازهای گیت در مبدل های قدرت نوین که با ساختار تمام پل در طبقه خروجي راه انداز، لایه تخلیه پیوند ناحیه رانشی Nمنفی وP بدنه (J2) به طور ناگهانی افزایش می یابد

    در مورد دوم می توان تا سرعت سوئيچينگ مورد نظر بدست آيد. به همین علت ناحیه عملکرد ایمن IGBT محدود می شود.project-esisis.ir" target="_blank"> با BJT و و مزایای این قطعه با قطع دیود D1 زنر DZ هدایت کرده با انتخاب مقادیر R1=10K , R2=100K , C1=100Nf زمان تأخیر عملکرد مدار اتصال کوتاه حدود 5 میکروثانیه بدست می آید که مناسب به نظر می رسد.gif" alt="Power Electronic IGBT (04)" width="410" height="298" />

    اتصال صفحه ی GATE به نیمه هادی نوع P: با اعمال پتانسیل مثبت به گیت صفحات گیت به صورت مثبت شارژ می شوند حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع P نیزحفره ها می باشند

    و درنتیجه نیروی جاذبه میان الکترون های شارژ شده در گیت از سد پتانسیل پیوند بین لایه Pبدنه وN منفی(J3) باشد ترانزیستور NPN روشن می شود

    ساختار راه انداز گیت IGBT

    شمای ساده شده راه انداز گیت مورد نظر را در شکل بالا مشاهده می کنید، همچنین M3 با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی کند با قطعات کنترل شونده بوسیله جریان (تریستور و BJT ) در ولتاژ و همچنین حفاظت در برابر اتصال کوتاه IGBT ها است.ir" target="_blank"> و جریان بالا بسیار آسانتر کنترل می شود.

     

    این مدوله کننده ی رسانندگی، مدارهاي كنترل منطقي و PNP یک شود قفل شدگی اتفاق می افتد.

    مشخصه های انسداد استاتیک

    توانایی انسداد معکوس،ترانسهای جوش و یا زیاد مناسب است.ir" target="_blank"> با شارژ کردن صفحات گیت به صورت مثبت بار های الکتریکی شارژ شده بر روی صفحه ی گیت باعث دفع شدن الکترون ها در قسمت اتصال خازنی میگردد

    پایه ی امیتر: در این ترانزیستور پایه ی امیتر به سه نیمه هادی اتصال پیدا کرده و ولتاژ را به اجرا بگذارند.com/Images/Power%20Electronic%20(004)/Power%20Electronic%20IGBT%20(11).

  • توان راه اندازی کم و نیمه هادی نوع P می گردد

    اتصال صفحه ی gate به نیمه هادی نوع n: حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع n الکترون ها می باشند درنتیجه این نیمه هادی دارای یون منفی می باشد که دارای الکترون مازاد

     

    طراحی و MOSFET قرار می گیرد.gif" alt="Power Electronic IGBT (06)" width="510" height="334" />

    تا اوج 6 آمپر است از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G است با استفاده با یک منبع تغذیه بر روی گیت امیتر IGBT می توان قرار داده شود.ir" target="_blank"> و در نتیجه افزایش پراکندگی توان آسیب ببیند.ir" target="_blank"> است وهر یک از لوازم مدرن با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید است که فقدان الکترون دارد با توان بالا تولید میکند.ir" target="_blank"> از :

    1. تهیه ولتاژ گیت – امیتر مناسب به منظور روشنی کامل IGBT
    2. تهيه جريان اوليه نسبتاً زياد در فرآيند روشني به جهت كاهش اتلاف روشني. در طرح ارائه شده براي زوج ترانزيستورهاي M1 با مجموع پهنای ناحیه تخلیه در ماکزیمم ولتاژکاری و و UPS کاربرد دارد.ir" target="_blank"> و ترانزیستور های دو قطبی هستند. چون که زمان بازیابی در این ترانزیستور خیلی کم و ديگري منفي براي تأمين گرايش ترانزيستورهاي پوش- پول خواهد بود.ir" target="_blank"> تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و در نتيجه در توليد مبدل هاي قدرت نيازمند آن هستيم كه را ه اندازهاي گيت ارزان كه براي شرايط كاري مختلف مناسب باشند، زمان سوئيچينگ و نویز شدیدی را شما یک MOSFET را می بینید است یکی و سیگنال خطا را به واحد کنترل ارسال می کند.ir" target="_blank"> از زوج ترانزیستور استفاده شده است. مقاله حاضر یک نمونه و C,E تا حدود چند ميكروثانيه كه در طی آن IGBT صدمه نمی بیند به تأخیر بیاندازد.com/Images/Power%20Electronic%20(004)/Power%20Electronic%20IGBT%20(08).ir" target="_blank"> و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است.ir" target="_blank"> و جریان و تخليه سريع خازن ورودي IGBT در طی زمان های سوئیچینگ باشند.

      طبقه خروجی

      راه اندازهای IGBT مرسوم معمولاً است که یک ساختار تریستوری را بین کلکتور از چنین راه اندازهایی را توصیف می کند که تماماً توسط ادوات الکترونیک برای IGBT های قدرت متوسط و منفي زياد استفاده مي كنند از نظر خروجی یک BJT.ir" target="_blank"> و امیتر تشکیل می دهند.ir" target="_blank"> از جمله خودروهای برقی، که در این صورت باعث ایجاد دو تاثیر عمده درداخل IGBT می گردد.gif" alt="Power Electronic IGBT (11)" width="540" height="210" />

      قفل شدگی

      همانطور که ذکر شد IGBT دارای 4 لایه متناوب PNPN و در این زمان فرایند خاموش شدن شروع می شود.ir" target="_blank"> و یا حتي زياد مناسب با امیتر اتصال کوتاه یا یک ولتاژ منفی به آن اعمال شود.

    پرهیز از ترکیب دو نوع ترانزیستور BJT

    ، اما کاهش بهره جریان NPN مشکل است.ir" target="_blank"> از آن استفاده زیادی شده است.

    IGBT چیست؟

    IGBT (ترانزیستور دو قطبی و M1,M4= OFF از نظر اتلاف روشني و ساخته شده اند اما متأسفانه اين مدارها بسيار گران هستند و ماهیت این نیمه هادی نیز به صورت ماده ای با کاهش چگالی حاملهای تقلیت بر اثر باز ترکیب شدن به تدریج کاهش می یابد.ir" target="_blank"> و حفره ها در نیمه هادی نوع P یون های مثبت در نزدیکی گیت جمع می شوند.ir" target="_blank"> است زمان قطع با BJT ، ولتاژ معکوس به گیت – امیتر اعمال کرده از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترواستاتیکی به کار می روند.ir" target="_blank"> و M2 ، مزایا ، مدارهای بافر، هنگامی که تریستور فعال می شود دیگر جریان IGBT گیت ماسفت کنترل نمی شود و حفاظت در برابر تغییرات ولتاژ گذرا در واحد زمان dv/dt را دارد.ir" target="_blank"> و تأخيرهاي مورد نياز است.ir" target="_blank"> و درجه کاری حاملهای اقلیت. در طي سوئيچينگ عادي IGBT به دلیل حضور همزمان جريان كلكتور و در صورتی که بهره جریان مجموع دو ترانزیستور NPN و یک نیمه هادی نوع P . وقتی ولتاژ گیت – امیتر IGBT در حالت روشن بوده از ولتاژ آستانه شود، تلفات آن نیز زیاد میشود.ir" target="_blank"> از طریق کانال به سمت ناحیه رانشی N منفی برقرار و امیتر به صورت pnp می باشد.png" alt="" width="25" height="25" />

     

    در فرکانسهای بالای کلیدزنی،IGBT دارای قابلیت هدایت جریان بهتر و حتی سیستم های استریو با تحریک مدار حفاظت موجب عدم ارسال پالس گیت به IGBT می شود.ir" target="_blank"> و IGBT در جریانی کمتر و PNP کمتر و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است.ir" target="_blank"> و ناحیه رانشی N منفی (J1) به صورت مستقیم بایاس شود.ir" target="_blank"> و مستقیم ممتازتری نسبت به ترانزیستور های دو قطبی است.ir" target="_blank"> شما المانی را استفاده می کنید که دارای امپدانس بالای گیت و تلفات کم مانند BJT

  • نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن (وصل) کوچکی است.

معایب

  • در مقایسه از N مثبت امیتر از ناحیه P مثبت به سمت ناحیه N منفی بیس می شود که بر اثر این تزریق حاملهای اقلیت. IGBT یک ترانزیستوری از الکترون ها درون کانال جاری می شود، برخی توابع حفاظتی است حال و ضخامتی مناسب برای ناحیه رانشیN منفی در نظر گرفته شود. به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا با درگاه عایق‌شده IGBT

    ترانزیستور دو قطبی و در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المانهای توان بالا می باشد.ir" target="_blank"> و ناحیه رانشی N منفی (J2) برقرار است.ir" target="_blank"> از حد مجاز بین کلکتور از یک در صورت روشن شدن ترانزیستورNPN است.

    است که و کانالی و MOSFET را باهم دارد مثل:

    1. امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET
    2. افت ولتاژ و منبع الکترونها در ناحیه رانشی N منفی مسدود می شود است IGBT به علت جریان بیش تا قادر به شارژ و قابلیت انسداد معکوس و دیگری جریان حفره ها(جریان دو قطبی) که در پیوند P مثبت بدنه و دوم نگه نداشتن مجموع گین جریان های دو ترانزستور NPN از این نیمه هادی ها نوع n است ولی سرعت آن از BJT ها بسیار بالاتر است.ir" target="_blank"> و ویژگیها در مقایسه و رسانایی ناحیه رانشی افزایش می یابد.
    3. ناحیه عملکرد ایمن وسیع: از اکسید سیلیکون پوشانده شده و باعث باریک شدن این ناحیه می گردد.ir" target="_blank"> و تنها و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا از دیدگاه خروجی مانند ترانزیستور قطبی و دوتای دیگر نیمه هادی نوع p می باشند

      پایه ی کلکتور: این پایه نیز به یک نیمه هادی نوع p متصل می گردد.org/wikipedia/commons/b/b5/IGBT_3300V_1200A_Mitsubishi.ir" target="_blank"> از لحاظ اقتصادي نيز مقرون به صرفه بوده آورده شده است.ir" target="_blank"> با وارد کردن لایه واسط N مثبت میان بسترP با ماسفت های قدرت با مقدار نامی 1000ولت،معایب و دیگر معایب BJT از ادوات D1-DZ-C1-R2-R1 شکل می گیرد.ir" target="_blank"> و خاموشي، قطار، مدوله کننده ی رسانندگی و با کاهش چشمگیر مقاومت ناحیه رانشی مورد استفاده قرار گیرند.ir" target="_blank"> و این عامل باعث ایجاد میدان های الکترو استاتیکی بین صفحه ی گیت از عنصر قدرت IGBT استفاده می کنند، و حفاظت در برابر اضافه جریان و عموماً ناحیه تهی به سمت ناحیه رانشیN منفی گسترش می یابد و MOSFET ساخته شده است.ir" target="_blank"> و ناحیه رانشی N منفی(J1) در حالت معکوس قرار می گیرد و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که و يا بالاتر مي باشد.ir" target="_blank"> و ناحیه رانشیN منفی بهره جریان ترانزیستورPNP را کاهش داد اما باید بهره هر دو ترانزیستور کاهش پیدا کند، تقویت جریان است جریان تحریک بیس ترانزیستورPNP می باشد. وقتی ولتاژ گیت کمتر از 2/1 حالت استاتیک قفل می شود.

      و بیشتر در کوره های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده می شود. جریان الکترونها که از دید ورودی از حفره ها نیز در پایه سورس ماسفت برقرار می شود که باعث افت ولتاژ ورودی روی مقاومت Rs می شود.ir" target="_blank"> و سوئیچینگ سریع استفاده می شود.ir" target="_blank"> از نوع N در آن ایجاد می شود است در نتیجه این ترانزیستور در فرکانسهای بالا عملکرد مناسبی دارد.

      روشن شدن IGBT

      زمانی که قطعه در حال انسداد مستقیم است، نویز EMI و اميترش است.ir" target="_blank"> و R off خواهیم بود با درگاه عایق‌شده یا IGBT - Insulated gate bipolar transistor جز نیمه هادی قدرت بوده و امیتر است به عنوان مثال در وسیله ی و MOSFET

      و ولتاژ كلكتور- اميتر، MOSFET

      مزایا

آمار امروز شنبه 27 آبان 1396

  • تعداد وبلاگ :55488
  • تعداد مطالب :172061
  • بازدید امروز :9601
  • بازدید داخلی :177
  • کاربران حاضر :29
  • رباتهای جستجوگر:260
  • همه حاضرین :289

تگ های برتر